MJD45H11T4

MJD45H11T4 STMicroelectronics


5470.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.21 грн
5000+ 25.07 грн
10000+ 25 грн
12500+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MJD45H11T4 за ціною від 20.54 грн до 66.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics 5470.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.15 грн
5000+ 27 грн
10000+ 26.92 грн
12500+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics MJD44H11_MJD45H11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+34.04 грн
12+ 28.86 грн
37+ 21.71 грн
101+ 20.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics 5470.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.33 грн
17+ 34.53 грн
25+ 34.18 грн
100+ 29.87 грн
250+ 27.38 грн
500+ 25.21 грн
1000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics 5470.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
308+37.18 грн
311+ 36.81 грн
343+ 33.36 грн
347+ 31.85 грн
500+ 28.29 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 308
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics MJD44H11_MJD45H11.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.84 грн
10+ 35.96 грн
37+ 26.05 грн
101+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.08 грн
10+ 49.06 грн
100+ 38.15 грн
500+ 30.35 грн
1000+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307457.pdf Description: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.9 грн
14+ 54.24 грн
100+ 41.07 грн
500+ 32.77 грн
1000+ 23.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics mjd44h11t4-2956141.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.57 грн
10+ 54.46 грн
100+ 36.87 грн
500+ 31.2 грн
1000+ 25.46 грн
2500+ 23.94 грн
5000+ 22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD45H11T4 MJD45H11T4
Код товару: 89434
en.CD00001311.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD45H11T4 MJD45H11T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній