MJL21196G

MJL21196G onsemi


MJL21195_D-2316291.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.61 грн
10+ 305.7 грн
25+ 249.99 грн
100+ 215.03 грн
200+ 202.5 грн
600+ 190.63 грн
1000+ 162.92 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJL21196G onsemi

Description: ONSEMI - MJL21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 16A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJL21196G за ціною від 231.6 грн до 409.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJL21196G MJL21196G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0011213449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJL21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+409.19 грн
10+ 298.2 грн
100+ 231.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJL21196G MJL21196G
Код товару: 67074
mjl21195-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJL21196G MJL21196G Виробник : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
MJL21196G MJL21196G Виробник : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
MJL21196G MJL21196G Виробник : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
MJL21196G MJL21196G Виробник : onsemi mjl21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній