Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 544899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції MMBTA06LT1G за ціною від 0.95 грн до 14.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
276+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 276
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.72 грн
9000+ 1.39 грн
24000+ 1.19 грн
45000+ 1.13 грн
99000+ 0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.82 грн
9000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1041000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6303+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 6303
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6123+1.88 грн
9000+ 1.53 грн
24000+ 1.3 грн
45000+ 1.23 грн
99000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 6123
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 335158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.02 грн
6000+ 1.84 грн
9000+ 1.56 грн
30000+ 1.36 грн
75000+ 1.17 грн
150000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.18 грн
200+ 1.83 грн
500+ 1.61 грн
550+ 1.45 грн
1500+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 175
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.62 грн
125+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
550+ 1.74 грн
1500+ 1.65 грн
12000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 146980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.5 грн
70+ 8.18 грн
166+ 3.44 грн
1000+ 2.22 грн
3000+ 1.54 грн
9000+ 1.15 грн
24000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 335374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+11.93 грн
34+ 7.98 грн
100+ 4.3 грн
500+ 3.17 грн
1000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 24
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
на замовлення 193333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+11.96 грн
39+ 7.84 грн
100+ 3.31 грн
1000+ 1.95 грн
2500+ 1.56 грн
10000+ 1.3 грн
60000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+12.78 грн
63+ 9.09 грн
146+ 3.91 грн
1000+ 2.46 грн
3000+ 1.71 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 1.4 грн
45000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 45
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
836+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 836
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 146980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+14.27 грн
72+ 10.12 грн
174+ 4.19 грн
500+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 52
MMBTA06LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf NPN 500mA 80V 300mW 100MHz MMBTA06LT1G MMBTA06 smd TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf NPN 500mA 80V 300mW 100MHz MMBTA06LT1G MMBTA06 smd TMMBTA06lt1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+13.57 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 46
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBTA06LT1G
Код товару: 164531 		Виробник : ON MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: SMD
товар відсутній