MMDT2227 Diotec Electronics
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3788+ | 3.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMDT2227 Diotec Electronics
Description: BJT SOT-363 60V 600MA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz, Supplier Device Package: SOT-363.
Інші пропозиції MMDT2227 за ціною від 1.46 грн до 14.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT-363 60V 600MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 60V, 600mA, NPN+PNP |
на замовлення 10780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40/60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40/60V; 0.6A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40/60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMDT2227 Код товару: 199717 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor | MMDT2227 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 40/60V; 0.6A; 0.2W; SOT363 Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40/60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300/200MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT-363 60V 600MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMDT2227 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 40/60V; 0.6A; 0.2W; SOT363 Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40/60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300/200MHz |
товар відсутній |