MRF586 Advanced Semiconductor, Inc.
на замовлення 30 шт:
термін постачання 536-545 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 981.41 грн |
| 10+ | 852.51 грн |
| 25+ | 720.94 грн |
| 50+ | 680.85 грн |
| 100+ | 640.76 грн |
| 250+ | 621.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRF586 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Gain: 13.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 3GHz, Supplier Device Package: TO-39.
Інші пропозиції MRF586
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF586 | Виробник : Microsemi |
 Trans RF BJT NPN 17V 0.2A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|
| MRF586 | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS MRF586 кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||
 |
MRF586 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 13.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 17V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3GHz Supplier Device Package: TO-39 |
товар відсутній |
|
| MRF586 | Виробник : Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor |
товар відсутній |