на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDS0610 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NDS0610 за ціною від 3.23 грн до 30.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDS0610 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS0610 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V |
на замовлення 46568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS0610 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 52369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 767 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDS0610 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 17209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDS0610 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NDS0610 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NDS0610 Код товару: 91972 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|