Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NDS331N
NDS331N

NDS331N ON Semiconductor

nds331n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDS331N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NDS331N за ціною від 7.5 грн до 36.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDS331N NDS331N Виробник : onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.64 грн
6000+ 8.81 грн
9000+ 8.18 грн
30000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331N NDS331N Виробник : ONSEMI 2303897.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331N NDS331N Виробник : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331N NDS331N Виробник : ONSEMI NDS331N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+14.79 грн
75+ 11.29 грн
195+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
NDS331N NDS331N Виробник : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NDS331N NDS331N Виробник : ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 401095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.83 грн
500+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
NDS331N NDS331N Виробник : ONSEMI NDS331N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.23 грн
25+ 18.43 грн
75+ 13.54 грн
195+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
NDS331N NDS331N Виробник : onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 59398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.15 грн
12+ 23.55 грн
100+ 16.37 грн
500+ 11.99 грн
1000+ 9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS331N NDS331N Виробник : onsemi / Fairchild NDS331N_D-2317525.pdf MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 237684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
12+ 25.47 грн
100+ 15.84 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 10.06 грн
3000+ 8.48 грн
9000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
NDS331N NDS331N Виробник : ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 401095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.79 грн
25+ 29.49 грн
100+ 19.83 грн
500+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS331N Виробник : Fairchild nds331n-d.pdf N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
NDS331N NDS331N Виробник : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній