NDT3055L ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 47.81 грн |
8000+ | 43.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT3055L ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NDT3055L за ціною від 24.01 грн до 88.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC |
на замовлення 23515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NDT3055L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V |
товар відсутній |