PDTD113ZT,215 NEXPERIA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PDTD113ZT,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.
Інші пропозиції PDTD113ZT,215 за ціною від 1.53 грн до 22.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 70 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 70 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V |
на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 33933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia | Digital Transistors PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 9526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий; Тип стр. = NPN; Ic = 500 мА; hFE = 70 @ 50 мA, 5 В; Icutoff-max = 500 нА; R1, кОм = 1; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,25; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
PDTD113ZT,215 | Виробник : Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |