PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMZ200UNEYL за ціною від 4.14 грн до 27.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ200UNEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V |
на замовлення 15004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ200UNEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 13010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ200UNEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMZ200UNEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMZ200UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMZ200UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMZ200UNEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 410mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |