PSMN016-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN016-100YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMN016-100YS,115 за ціною від 31.89 грн до 93.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN016-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN016-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN016-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN016-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN016-100YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2744 pF @ 50 V |
на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN016-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 7944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN016-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN016-100YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN016-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN016-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 204A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Pulsed drain current: 204A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN016-100YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 204A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Pulsed drain current: 204A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |