PSMN1R0-40YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 91.19 грн |
| 3000+ | 83.42 грн |
| 7500+ | 80.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R0-40YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 198W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 930µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN1R0-40YLDX за ціною від 78.86 грн до 244.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 198W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V |
на замовлення 7514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 5328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 198W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 198W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 930µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN1R0-40YLDX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors |
товар відсутній |