RFP50N06 ON Semiconductor
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1600+ | 68.74 грн |
4000+ | 66.43 грн |
8000+ | 64.47 грн |
12000+ | 62.1 грн |
20000+ | 57.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFP50N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Можливі заміни RFP50N06 ON Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFP50N06LE Код товару: 189268 |
Виробник : JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 191 шт
|
|
Інші пропозиції RFP50N06 за ціною від 65.63 грн до 146.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFP50N06 | Виробник : Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 6616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-CH POWER |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFP50N06 Код товару: 25146 |
Виробник : FS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
RFP50N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
RFP50N06 Код товару: 182599 |
Виробник : Harris |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||
RFP50N06 Код товару: 182601 |
Виробник : ON |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Монтаж: THT |
товар відсутній
|