RS1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 38977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.82 грн |
14+ | 23.13 грн |
100+ | 9.59 грн |
1000+ | 6.64 грн |
2500+ | 5.72 грн |
7500+ | 5.39 грн |
22500+ | 4.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RS1JHE3_A/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RS1JHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RS1JHE3_A/I | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
RS1JHE3_A/I | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||
RS1JHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |