SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2303cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.58 грн
6000+ 8.76 грн
9000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2303CDS-T1-GE3 за ціною від 7.56 грн до 32.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.25 грн
35+ 11.06 грн
100+ 8.04 грн
275+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.89 грн
25+ 13.79 грн
100+ 9.65 грн
275+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.06 грн
9000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2244176.pdf Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 26607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.05 грн
500+ 16.9 грн
1500+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 15420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.54 грн
12+ 23.43 грн
100+ 16.26 грн
500+ 11.91 грн
1000+ 9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2303cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 66034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.78 грн
12+ 26.02 грн
100+ 15.76 грн
500+ 12.33 грн
1000+ 10.03 грн
3000+ 8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 1866597.pdf Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 26607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.19 грн
50+ 26.19 грн
100+ 20.05 грн
500+ 16.9 грн
1500+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI2303CDST1GE3
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2303cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній