Продукція > VISHAY > SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

si2305cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2305CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

Інші пропозиції SI2305CDS-T1-GE3 за ціною від 5.98 грн до 31.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.18 грн
6000+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.77 грн
6000+ 7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.78 грн
6000+ 7.18 грн
9000+ 6.46 грн
30000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 24009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.18 грн
9000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+10.2 грн
95+ 8.69 грн
255+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 35
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2305CDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+12.09 грн
33+ 10.41 грн
90+ 8.97 грн
246+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 31
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050605.pdf Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 149790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.83 грн
500+ 8.42 грн
1500+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2305CDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+14.51 грн
25+ 12.97 грн
90+ 10.76 грн
246+ 10.1 грн
3000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2305CDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+14.51 грн
25+ 12.97 грн
90+ 10.76 грн
246+ 10.1 грн
3000+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050605.pdf Description: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 149790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+27.28 грн
50+ 20.05 грн
100+ 12.83 грн
500+ 8.42 грн
1500+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 28
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2305cd.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 40557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.15 грн
13+ 21.56 грн
100+ 12.92 грн
500+ 11.24 грн
1000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+30.45 грн
24+ 24.58 грн
25+ 23.41 грн
100+ 13.2 грн
250+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2305cd.pdf MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 99971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
13+ 23.96 грн
100+ 11.63 грн
1000+ 7.89 грн
3000+ 6.9 грн
9000+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : KUU si2305cd.pdf P-MOSFET 8V 5.8A 1.7W 35mΩ SI2305CDS Vishay TSI2305cds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2305cd.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній