Si3407DV-T1-GE3

Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3407dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V.

Інші пропозиції Si3407DV-T1-GE3 за ціною від 10.36 грн до 68.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 9382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.11 грн
11+ 26.38 грн
100+ 18.33 грн
500+ 13.43 грн
1000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3407dv.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 62571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.32 грн
11+ 29.36 грн
100+ 19.06 грн
500+ 14.97 грн
1000+ 11.54 грн
3000+ 10.55 грн
9000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.05 грн
17+ 21.03 грн
25+ 18.62 грн
51+ 15.87 грн
139+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 7
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.46 грн
10+ 26.2 грн
25+ 22.34 грн
51+ 19.04 грн
139+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній