SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3458bdv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.79 грн
6000+ 19.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3458BDV-T1-E3 за ціною від 19.11 грн до 62.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3458bdv.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.02 грн
10+ 47.84 грн
100+ 33.13 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3458bdv.pdf MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 61354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.18 грн
10+ 53.19 грн
100+ 32.02 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 22.8 грн
3000+ 20.03 грн
6000+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3
Код товару: 55702
si3458bdv.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3458bd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3458BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3458bdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3458BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3458bdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній