SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.79 грн |
| 6000+ | 19.87 грн |
| 9000+ | 18.4 грн |
| 30000+ | 17.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI3458BDV-T1-GE3 за ціною від 18.26 грн до 62.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 2.1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V |
на замовлення 222476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 34115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 2.1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |