на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3552DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI3552DV-T1-E3 за ціною від 16.56 грн до 56.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SI3552DV-GE3 |
на замовлення 192380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.15W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30/30V; -1.8/2.5A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -7...8A Power dissipation: 1.15W Gate charge: 3.6/3.2nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -1.8/2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30/30V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TSOP6 On-state resistance: 360/175mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI3552DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30/30V; -1.8/2.5A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -7...8A Power dissipation: 1.15W Gate charge: 3.6/3.2nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -1.8/2.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30/30V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TSOP6 On-state resistance: 360/175mΩ |
товар відсутній |