Продукція > VISHAY > SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3 Vishay


si3552dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3552DV-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI3552DV-T1-E3 за ціною від 16.56 грн до 56.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008873337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.48 грн
500+ 23.84 грн
1000+ 17.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.52 грн
10+ 36.69 грн
100+ 25.39 грн
500+ 19.91 грн
1000+ 16.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008873337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+54.98 грн
16+ 46.47 грн
100+ 32.48 грн
500+ 23.84 грн
1000+ 17.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3552dv.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI3552DV-GE3
на замовлення 192380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.56 грн
10+ 48.85 грн
100+ 29.02 грн
500+ 24.21 грн
1000+ 20.58 грн
3000+ 16.89 грн
6000+ 16.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3552DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3552dv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3552DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3552dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30/30V; -1.8/2.5A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -7...8A
Power dissipation: 1.15W
Gate charge: 3.6/3.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.8/2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 360/175mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3552DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3552dv.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30/30V; -1.8/2.5A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -7...8A
Power dissipation: 1.15W
Gate charge: 3.6/3.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -1.8/2.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 360/175mΩ
товар відсутній