SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4156dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4156DY-T1-GE3 за ціною від 23.25 грн до 69.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4156dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.51 грн
10+ 46.1 грн
100+ 35.87 грн
500+ 28.54 грн
1000+ 23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4156DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.15 грн
13+ 60.9 грн
100+ 47.58 грн
500+ 36.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI4156DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4156dy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 76966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.41 грн
10+ 60.84 грн
100+ 41.29 грн
500+ 34.1 грн
1000+ 26.91 грн
2500+ 25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4156DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4156dy.pdf SI4156DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній