SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix


si4427bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.73 грн
10+ 101.21 грн
100+ 78.92 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4427BDY-T1-E3 за ціною від 50.13 грн до 121.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4427bd.pdf MOSFET 30V 13.3A 3W
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.59 грн
10+ 102.4 грн
100+ 69.26 грн
500+ 57.58 грн
1000+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4427BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4427bd.pdf
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4427BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4427BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4427bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -50A
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4427bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4427bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4427bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4427bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -50A
Technology: TrenchFET®
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній