Продукція > VISHAY > SI4835BDYT1E3

SI4835BDYT1E3 VISHAY


Виробник: VISHAY

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4835BDYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4835BDYT1E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4835BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 0702+
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4835BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY 08+ SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3
Код товару: 27600
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72029.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 72029-1838729.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4835DDY-E3
товар відсутній