Продукція > VISHAY > SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3 Vishay


si4936cdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4936CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4936CDY-T1-GE3 за ціною від 13.84 грн до 49.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4936cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.17 грн
5000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4936cdy.pdf Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.45 грн
500+ 20.82 грн
1000+ 14.21 грн
5000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4936cdy-t1-e3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+34.04 грн
25+ 28.86 грн
37+ 21.99 грн
100+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4936cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.96 грн
10+ 33.32 грн
100+ 23.07 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4936cdy-t1-e3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.84 грн
25+ 35.96 грн
37+ 26.38 грн
100+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4936cdy.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.63 грн
10+ 37.62 грн
100+ 23.55 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 15.9 грн
2500+ 15.04 грн
5000+ 14.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4936cdy.pdf Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+49.95 грн
18+ 42.25 грн
100+ 27.45 грн
500+ 20.82 грн
1000+ 14.21 грн
5000+ 14.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4936cdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній