Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 Vishay

si4946be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 32.24 грн до 115.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.75 грн
5000+ 35.54 грн
12500+ 33.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4946BEY-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.82 грн
8+ 44.34 грн
24+ 34.1 грн
65+ 32.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4946be.pdf Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 54842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.82 грн
500+ 50.99 грн
1000+ 42.57 грн
5000+ 41.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4946BEY-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3748 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.39 грн
5+ 55.25 грн
24+ 40.91 грн
65+ 38.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.9 грн
10+ 77.38 грн
25+ 38.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.36 грн
10+ 73.85 грн
100+ 57.41 грн
500+ 45.67 грн
1000+ 37.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFET 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 46564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.39 грн
10+ 82.59 грн
100+ 55.54 грн
250+ 54.03 грн
500+ 47.04 грн
1000+ 40.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4946be.pdf Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 54842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.3 грн
10+ 88.69 грн
100+ 64.82 грн
500+ 50.99 грн
1000+ 42.57 грн
5000+ 41.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+39 грн
100+ 32.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.02 грн
10+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4946BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4946BEY-T1-E3
Код товару: 196051 		si4946be.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній