SISS26LDN-T1-GE3

SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


siss26ldn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.05 грн
10+ 64.93 грн
100+ 50.47 грн
500+ 40.14 грн
1000+ 32.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SISS26LDN-T1-GE3 за ціною від 33.71 грн до 89.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss26ldn.pdf MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 231360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.27 грн
10+ 72.67 грн
100+ 48.81 грн
500+ 41.42 грн
1000+ 33.77 грн
3000+ 33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товар відсутній
SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
товар відсутній