Продукція > INF > SPB100N08S2-07

SPB100N08S2-07 INF


SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf Виробник: INF
07+;
на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB100N08S2-07 INF

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB100N08S2-07

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPB100N08S2-07 Виробник : INFIEON SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB100N08S2-07 Виробник : INFINEON SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB100N08S2-07 Виробник : INFINEON SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf 09+ SOP-14
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB100N08S2-07 Виробник : INFINEON SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB100N08S2-07 SPB100N08S2-07 Виробник : Infineon Technologies SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 25 V
товар відсутній
SPB100N08S2-07 SPB100N08S2-07 Виробник : Infineon Technologies SP%28B%2CP%29100N08S2-07.pdf MOSFET MOSFET
товар відсутній