SQM40031EL_GE3

SQM40031EL_GE3 Vishay Semiconductors


sq40031el.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8824 шт:

термін постачання 661-670 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.39 грн
10+ 179.02 грн
100+ 127.96 грн
500+ 108.84 грн
800+ 91.69 грн
2400+ 86.41 грн
4800+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQM40031EL_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
товар відсутній
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V
товар відсутній