SS8050 MDD
Виробник: MDD
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12000+ | 3.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS8050 MDD
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції SS8050 за ціною від 0.45 грн до 3227.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS8050 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
SS8050 | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: Small Signal Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
SS8050 | Виробник : import |
NPN 1500mA 25V 350mW 120MHz SS8050 China TSS8050 c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
SS8050 | Виробник : Microdiode Electronics | Schottky Barrier Diode |
на замовлення 5634000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
SS8050 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
на замовлення 16998000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
SS8050 | Виробник : EVVO |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||
SS8050 | Виробник : UMW |
Description: 25V 300MW 1.5A 100MHZ 500MV@800M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||
SS8050 | Виробник : UMW |
Description: 25V 300MW 1.5A 100MHZ 500MV@800M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
||||||||||
SS8050 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/25V/1.5A/120-200 |
товар відсутній |