STB100NF04T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Application: automotive industry
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 209.37 грн |
| 5+ | 172.51 грн |
| 6+ | 158.14 грн |
| 14+ | 149.24 грн |
| 100+ | 143.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB100NF04T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STB100NF04T4 за ціною від 105.15 грн до 264.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A Application: automotive industry Drain current: 120A On-state resistance: 4.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Case: D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB100NF04T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB100NF04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STB100NF04T4 Код товару: 170858 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB100NF04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |