STD11N65M5

STD11N65M5 STMicroelectronics


en.DM00049307.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.26 грн
5000+ 51.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD11N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Інші пропозиції STD11N65M5 за ціною від 51.38 грн до 151.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+96.19 грн
500+ 74.21 грн
1000+ 56.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.73 грн
10+ 98.05 грн
100+ 78.03 грн
500+ 61.96 грн
1000+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5-1850020.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.13 грн
10+ 109.23 грн
100+ 75.2 грн
250+ 69.92 грн
500+ 63.78 грн
1000+ 54.09 грн
2500+ 51.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+151.69 грн
10+ 117.65 грн
100+ 96.19 грн
500+ 74.21 грн
1000+ 56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD11N65M5
Код товару: 122180
en.DM00049307.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics 3413stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній