.jpg "STD120N4F6")
STD120N4F6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.84 грн |
| 10+ | 118.52 грн |
| 100+ | 95.27 грн |
| 500+ | 73.46 грн |
| 1000+ | 60.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD120N4F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD120N4F6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A S TripFET VI DeepGATE |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 2178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
| STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||
|
|
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V |
товар відсутній |