STD4NK80ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD4NK80ZT4 за ціною від 31.14 грн до 153.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK Power dissipation: 80W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 3379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK Power dissipation: 80W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 4576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD4NK80ZT4 Код товару: 150881 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |