STD6N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.56 грн |
| 5000+ | 59.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD6N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD6N80K5 за ціною від 60.07 грн до 155.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V |
на замовлення 11057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD6N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 2.8A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.8A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |