STD9N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD9N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD9N60M2 за ціною від 29.39 грн до 87.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
STD9N60M2 Код товару: 108710 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STD9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |