STF10NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.72 грн |
6+ | 61.61 грн |
17+ | 47.17 грн |
47+ | 44.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF10NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm.
Інші пропозиції STF10NM60N за ціною від 53.51 грн до 236.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STF10NM60N Код товару: 53892 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 540/19 |
товар відсутній
|
||||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
STF10NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |