STF13NM60ND STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.6 грн |
3+ | 203.15 грн |
10+ | 195.6 грн |
11+ | 74.12 грн |
30+ | 70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF13NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm.
Інші пропозиції STF13NM60ND за ціною від 84 грн до 320.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STF13NM60ND | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |