STF7NM60N STMicroelectronics
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF7NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF7NM60N за ціною від 28.46 грн до 180.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF7NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7NM60N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7NM60N | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|