STFI4N62K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.46 грн |
| 10+ | 67.16 грн |
| 100+ | 56.35 грн |
| 500+ | 46.69 грн |
| 1000+ | 44.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STFI4N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I2PAK, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-281 (I2PAKFP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STFI4N62K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STFI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STFI4N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube |
товар відсутній |