STGP30H60DF

STGP30H60DF STMicroelectronics


stgp30h60df-1916591.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.52 грн
10+ 128.19 грн
100+ 96.96 грн
250+ 92.35 грн
500+ 87.07 грн
1000+ 77.17 грн
2000+ 75.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP30H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 60A 260W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns, Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 105 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

Інші пропозиції STGP30H60DF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGP30H60DF STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics stgp30h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP30H60DF STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics stgp30h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics stgp30h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGP30H60DF STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Description: IGBT 600V 60A 260W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товар відсутній
STGP30H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00040343.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній