STGW15H120DF2

STGW15H120DF2 STMicroelectronics


stgw15h120df2-1850840.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
на замовлення 1307 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.88 грн
10+ 216.19 грн
100+ 151.71 грн
600+ 135.22 грн
1200+ 112.79 грн
3000+ 106.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGW15H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 231 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns, Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 67 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 259 W.

Інші пропозиції STGW15H120DF2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGW15H120DF2 STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics stgw15h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW15H120DF2 STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics stgw15h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics stgw15h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGW15H120DF2 STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Description: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
товар відсутній
STGW15H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066773.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній