STGWT40V60DF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 321.48 грн |
| 10+ | 259.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT40V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGWT40V60DF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWT40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STGWT40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|
 |
STGWT40V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
товар відсутній |