STI6N62K3

STI6N62K3 STMicroelectronics


cd00195598-1796628.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 2086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI6N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STI6N62K3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STI6N62K3 Виробник : STMicroelectronics STx6N62K3.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STI6N62K3 STI6N62K3 Виробник : STMicroelectronics cd0019559.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STI6N62K3 Виробник : STMicroelectronics cd0019559.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
STI6N62K3 STI6N62K3 Виробник : STMicroelectronics STx6N62K3.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
товар відсутній