STL18NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.47 грн |
| 10+ | 193.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL18NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STL18NM60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.1A 5-Pin Power Flat T/R |
товар відсутній |
|
| STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.1A 5-Pin Power Flat T/R |
товар відсутній |
||
|
|
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|
 |
STL18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II |
товар відсутній |