STP8NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP8NK100Z за ціною від 90.41 грн до 391.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6.5 A, 1.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.85ohm |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5 |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C; STP8NK100Z TSTP8NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics NV |
STP8NK100Z MOSFET N-CH 1KV 6.5A TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
STP8NK100Z Код товару: 148918 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP8NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |