у наявності 23 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48.5 грн |
10+ | 42.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP8NK80ZFP за ціною від 96.14 грн до 225.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP8NK80ZFP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2 A |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP8NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
З цим товаром купують
STP7NK80Z Код товару: 44313 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 5,2 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40
у наявності: 109 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
100uF 35V ESX 8x12mm (low imp., 5000годинник) (ESX101M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31680 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 8658 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.2 грн |
1000+ | 1.8 грн |
0,33 Ohm 5% 5W вив. (MOR500SJTB-0R33-Hitano) (резистори метало-оксидні) Код товару: 50032 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 0,33 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 0,33 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 724 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.5 грн |
100+ | 4 грн |
Запобіжник micro radial 4A, швидкий (KLS5-101-5EF-040H-R) Код товару: 98372 |
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник швидкий, радіальний 4A 250V, 8,5х7,2х4мм
Номінальний струм: 4 А
Розмір: 8,5x7,2x4 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Пластик
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник швидкий, радіальний 4A 250V, 8,5х7,2х4мм
Номінальний струм: 4 А
Розмір: 8,5x7,2x4 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Пластик
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 19 шт
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
1000+ | 4.3 грн |
STP3NK90ZFP Код товару: 114735 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 590/22,7
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 590/22,7
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 324 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 22.9 грн |
100+ | 21.5 грн |