Продукція > STMICROELECTRONICS > STU8NM50N
STU8NM50N

STU8NM50N STMicroelectronics

STx8NM50N_Rev2012.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.17 грн
10+ 92.01 грн
100+ 73.21 грн
500+ 58.13 грн
1000+ 49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU8NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STU8NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STU8NM50N Виробник : STMicroelectronics STx8NM50N_Rev2012.pdf
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STU8NM50N STU8NM50N Виробник : STMicroelectronics cd0027106.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній