STW19NM50N

STW19NM50N STMicroelectronics


stf19nm50n-1850513.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.57 грн
10+ 393.99 грн
25+ 265.52 грн
100+ 238.5 грн
250+ 223.35 грн
600+ 210.83 грн
1200+ 198.97 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW19NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STW19NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW19NM50N STW19NM50N Виробник : STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM50N Виробник : STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM50N STW19NM50N Виробник : STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW19NM50N STW19NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00264734.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
товар відсутній