STW57N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 718.72 грн |
| 30+ | 552.57 грн |
| 120+ | 494.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW57N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW57N65M5 за ціною від 371.31 грн до 743.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |