STW7NK90Z STMicroelectronics
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 240.74 грн |
10+ | 223.12 грн |
25+ | 172.61 грн |
100+ | 146 грн |
250+ | 142.11 грн |
600+ | 134.97 грн |
1200+ | 120.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW7NK90Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW7NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.56, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STW7NK90Z за ціною від 77.31 грн до 303.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW7NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.56 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
STW7NK90Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW7NK90Z TSTW7NK90Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: SuperMesh™ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A On-state resistance: 2000mΩ |
товар відсутній |
||||||||||
STW7NK90Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: SuperMesh™ Power dissipation: 140W Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.65A On-state resistance: 2000mΩ |
товар відсутній |